天上飞的、地上跑的、海里游的几乎都离不开温度冲击丝瓜视频色版下载这类环境丝瓜视频色版下载，尤其是最近大火的新能源汽车的核心配件IGBT芯片，更是一样要经过无数次的可靠性试验才能保证安全高效的投放使用，今天丝瓜视频网站环境就带您来看看IGBT可以用温度冲击丝瓜视频色版下载做哪些环境可靠性试验。为了提高这些微电子器件性能 (特别是可靠性)，必须将其芯片封装在真空或保护气体中，实现气密封装 (芯片置于密闭腔体中，与外界氧气、湿气、灰尘等隔绝)。

因此，必须首先制备含腔体 (围坝)结构的三维基板，满足封装应用需求。

常见的工业级IGBT可靠性试验包含但不限于以下项目：

（1）HTRB（高温反偏）试验：HTRB试验用于验证稳定情况下IGBT的漏电指标可靠性。HTRB试验主要考核焦点是IGBT芯片边缘结构和钝化层，以及与生产相关的离子污染物。在HTRB试验过程中一般可以监测到漏电流随时间的变化。

（2）HTGB（高温栅极反偏）试验：HTGB试验用于验证在电和热负载下栅极漏电流的稳定性。HTGB试验主要考核的焦点是IGBT的栅极氧化层的完整性及移动离子污染。建议在试验中，持续监测栅极的漏电流和栅极开通电压，若这两项参数超出指定规格，则认为模块将不能通过此项测试。

（3）H3TRB（高温高湿反偏）试验：H3TRB试验用于测试湿度对功率器件长期特性的影响。H3TRB试验的焦点是IGBT的钝化层及芯片表面缺陷，包括整个器件结构中的薄弱环节。值得注意的是，在H3TRB试验后立即测量漏电流有可能出现漏电超标的情况，其原因是大多数模块设计不是完全密封，水汽也可以随着时间到达钝化层，导致试验后漏电超差。因此，可以对器件烘烤2h～24h并恢复常温24h后，再测试器件的漏电流，验证水汽入侵的可能性。

（4）TST（温度冲击）试验：TST试验主要验证IGBT在被动温度变化的情况下对机械应力的抵抗能力。TST试验考核焦点是IGBT模块的封装、基板与DCB间的连接。

（5）TC（温度循环）试验： TC试验用于模拟外界温度变化对IGBT的影响，验证器件或模块的整体结构和材料。尤其是IGBT功率模块由不同的材料组成一个系统，当受热和冷却时，不同材料的热膨胀系数差异大，两种界面在受热或冷却过程中所受的机械应力就越大。TC试验的焦点是IGBT芯片与DCB、DCB与基板之间的连接。

（6）PC（功率循环）试验：功率循环有秒级功率循环（PCsec）和分钟级功率循环。（PCmin）两种，测试时通过芯片自身工作电流进行主动加热芯片至目标温度，然后关断电流，冷却到指定温度。秒级功率循环试验主要考核近芯片端连接的可靠性；分钟级功率循环试验主要考核近芯片端和远芯片端连接的可靠性。

（7）Vibration（振动）试验：Vibration试验用来验证机械结构的牢固性和电气连接的稳定性。模拟器件在应用过程中的振动负载，并验证了器件在出现故障模式(如结构脱落和材料疲劳)时的抗振动能力。

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